Samsung представила чип мобильной DRAM-памяти на 8 Гбит

14:22 20.01.2014

|   769 прочтений



С выпуском нового чипа Samsung сфокусируется на премиальном сегменте мобильного рынке, включающем смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей.

Компания Samsung Electronics анонсировала первый чип DRAM-памяти LPDDR4 для смартфонов и планшетов емкостью 8 Гбит. Он сделан по 20-нанометровому техпроцессу и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день, утверждает производитель.

Благодаря четырем чипам по 8 Гбит, собранным в одном корпусе, производители мобильных устройств получат возможность установки сразу 4 Гбайт оперативной памяти LPDDR4 одним модулем. Это позволит мобильным устройствам достичь новых высот производительности, не жертвуя при этом ни габаритами, ни энергопотреблением, утверждают в Samsung.

В новом чипе используется интерфейс ввода-вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), впервые предложенный комитету JEDEC компанией Samsung и впоследствии ставший стандартом для памяти LPDDR4 DRAM. Это позволяет обеспечить скорость передачи данных 3200 Мбит/с на контакт, что в два раза лучше показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм. При этом новый интерфейс потребляет на 40% меньше энергии при рабочем напряжении 1,1 В.

С выпуском нового чипа Samsung сфокусируется на премиальном сегменте мобильного рынке, включающем смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки, имеющие разрешение экрана вчетверо выше предыдущих моделей. Также чип будет применен в высокопроизводительных сетевых системах, говорится в сообщении компании.


Теги: