SanDisk и Toshiba вместе работают над трехмерной флэш-памятью
SanDisk и Toshiba вместе работают над трехмерной флэш-памятью




Новая фабрика по выпуску подложек будет иметь устойчивую к землетрясениям конструкцию, возобновляемые источники энергии и светодиодное освещение с низким уровнем энергопотребления

10:45 19.05.2014   |  Лукас Мериан |  Computerworld, США

Рубрика Технологии |   607 прочтений



Компании Toshiba и SanDisk объединят свои усилия для изготовления трехмерных микросхем флэш-памяти NAND, которые позволят повысить емкость твердотельных накопителей и увеличить их производительность.

 
трехмерная флэш-память NAND
Компания Samsung первой наладила выпуск трехмерной флэш-памяти NAND. Источник: Samsung

Компании Toshiba и SanDisk объединят свои усилия для изготовления трехмерных микросхем флэш-памяти NAND, которые позволят повысить емкость твердотельных накопителей и увеличить их производительность.

Toshiba сообщила, что планирует закрыть завод в японской префектуре Миэ, а новая фабрика Fab 2 по изготовлению подложек будет действовать в том же месте, где организует производство SanDisk.

Компании рассчитывают развернуть производство в 2016 году.

«Наше стремление разрабатывать передовые технологии обусловлено продолжающимся ростом спроса на флэш-память NAND, – отметил генеральный директор подразделения Toshiba Semiconductor & Storage Products Ясуо Наруке. – Мы убеждены в том, что наше совместное предприятие с SanDisk позволит нам организовать в Йоккаичи производство конкурентоспособной по ценам памяти следующего поколения».

В отличие от плоской технологии NAND, в трехмерной памяти элементы располагаются на подложке вертикально, объединяясь в массив.

В прошлом году компания Samsung стала первым производителем, организовавшим выпуск трехмерной флэш-памяти NAND. Чипы, получившие название V-NAND, по устойчивости работы опережали своих конкурентов, изготовленных по традиционной технологии, в два-десять раз и обладали вдвое более высокой скоростью записи.

В микросхемах Samsung V-NAND используется ячеистая структура, созданная на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF). Благодаря применению самых современных решений трехмерные чипы Samsung V-NAND имеют емкость, которая в два раза превышает емкость планарной флэш-памяти NAND, изготовленной по 20-нанометровой технологии.

Samsung использует трехмерную память V-NAND в бытовой и корпоративной электронике самого разного назначения, в том числе во встроенных хранилищах NAND и в твердотельных накопителях. Емкость твердотельных накопителей, созданных на базе флэш-памяти Samsung 3D NAND, составляет от 128 Гбайт до 1 Тбайт.

В Toshiba пока не сообщают, какую емкость будут иметь их микросхемы и по какой технологии их планируется выпускать, но отмечают, что «все будет происходить в соответствии с существующими рыночными тенденциями».

«Совместно с SanDisk мы намерены наладить производство трехмерной памяти на самом современном оборудовании с использованием методов литографии, осаждения и вытравливания», – говорится в заявлении пресс-службы Toshiba.

На новой фабрике по выпуску подложек, которая будет иметь устойчивую к землетрясениям конструкцию, планируется использовать экологически чистые решения, включая светодиодное освещение. На ней будет установлено новейшее энергосберегающее оборудование, которое поможет увеличить производительность труда при одновременном снижении уровня энергопотребления.

«Эффективное использование рассеиваемого тепла позволит сократить уровень потребления топлива и уменьшить выбросы углекислого газа на 15% по сравнению с фабрикой Fab 5, которая в настоящее время считается самой совершенной с технологической точки зрения в Йоккаичи», – указывается в заявлении Toshiba.


Теги: