Samsung не стала показывать на CES 2013 новые флагманские мобильные продукты, но зато анонсировала весьма серьезную аппаратную основу для них, восьмиядерный процессор Exynos 5 Octa. Этот чип построен с применением технологии big.LITTLE от ARM, которая подразумевает использование двух кластеров из вычислительных ядер. Первый отвечает за решение серьезных задач, где во главе угла стоит производительность, а второй — за базовые задачи, где важнее всего энергопотребление.

В Samsung Exynos 5 Octa четыре ядра с архитектурой ARM Cortex-A15 и четыре ядра с архитектурой ARM Cortex-A7. По заявлению разработчиков, новый процессор, изготовленный по 28-нанометровому техпроцессу, в отдельных случаях может потреблять на 70% меньше энергии, чем двухъядерный Exynos 5 Dual (он используется, например, в Nexus 10). Между тем по производительности в 3D-приложениях он «в два раза выигрывает у любого мобильного процессора, включая Exynos 4 Quad» (на этом чипе, напомним, базируются смартфоны Samsung Galaxy S III и Galaxy Note II).

Информации о появлении серийных продуктов на основе Samsung Exynos 5 Octa представители корейской компании не предоставили. Но сетевые источники предполагают, что новый процессор будет использован в смартфоне Galaxy S IV, анонс которого, как ожидается, состоится весной.

Компания Qualcomm, чьи процессоры «живут» в доброй половине флагманских смартфонов, объявила об обновлении линейки аппаратных платформ для мобильных устройств.

В будущем они сохранят суббренд Snapdragon, но семейства получат числовые индексы — 200, 400, 600 и 800 (S1, S2, S3 и S4 уйдут в небытие).

Процессоры Snapdragon 200 и 400 предназначены для устройств среднего и бюджетного сегментов, тогда как 600 и 800 — для дорогих моделей.

Чипы серии 600 получат четыре вычислительных ядра Krait 300 с тактовой частотой до 1,9 ГГц, графический ускоритель Adreno 320 и поддержку памяти LPDDR3. Разработчики ожидают, что эти процессоры будут на 40% быстрее чипов серии Qualcomm Snapdragon S4 Pro.

Snapdragon 800 еще мощнее: здесь четыре вычислительных ядра Krait 400 с частотой до 2,3 ГГц, графика Adreno 330, поддержка памяти 2x32bit LPDDR3 с частотой до 800 МГц, модем с возможностью работы в сотовых сетях четвертого поколения LTE и адаптер Wi-Fi 802.11ac.

Среди прочего компания упоминает о возможности установки в конечное устройство четырех камер, записи и воспроизведении видео в формате 4К (4096 x 2304), а также поддержке звука DTS-HD и Dolby Digital Plus (в том числе формата 7.1). Ожидается, что новинки превзойдут Snapdragon S4 Pro в производительности на 75%.

Устройства на базе Snapdragon 600 появятся во втором квартале, гаджеты на основе Snapdragon 800 — в середине года, причем в последнем случае это будут не только смартфоны и планшеты, но и «умные» телевизоры, мультимедийные центры и так далее.

В ходе выставки CES в Лас-Вегасе компания Lenovo продемонстрировала неоднозначный гибрид планшета и десктопа-моноблока под названием IdeaCenter Horizon.

Модель обладает сенсорным экраном с диагональю 27 дюймов, разрешением 1920 х 1080 точек и поддержкой 10-точечного мультитача; разработчики считают, что у них получился игровой компьютер — на его задней панели расположена специальная ножка, которую можно сложить и получить своего рода «сенсорный стол» (Lenovo обозначает новинку словом Tabletop); а уж на нем можно играть в игры, да еще и всей семьей. Более того, для IdeaCenter Horizon будут выпущены целых три «игровых аксессуара».

Источник: Sumitomo Electric

В Intel сообщают, что работают над повышением пропускной способности интерфейса Thunderbolt в ответ на планируемое ускорение USB 3.0, но не уточняют, когда эта работа будет окончена. Технология Thunderbolt была представлена Intel и Apple в начале 2011 года. Она позволяет передавать данные между хостами и периферийными устройствами на канальной скорости 10 Гбит/с, а всего каналов два, один для данных, один для видео. Для сравнения, пропускная способность USB 3.0 — 5 Гбит/с.

На CES 2013 было объявлено, что к середине года скорость USB 3.0 будет удвоена, а по поводу Thunderbolt подобных объявлений не делалось. Скорость Thunderbolt со времени появления технологии оставалась неизменной. В Intel ведут разработки в области кремниевой нанофотоники, которые позволят повысить пропускную способность Thunderbolt до 50 Гбит/с к 2015 году. Кроме того, в Thuderbolt планируется обеспечить поддержку шины PCI Express 3.0, тогда как сейчас поддерживается более медленная 2.0.

На CES компания Corning анонсировала оптический кабель Thunderbolt протяженностью до 100 м. Как утверждается, такой кабель не менее прочен, чем медный. Sumimoto Electric, в свою очередь, представила кабель Thunderbolt толщиной 3,2 мм, на 1 мм тоньше, чем прежний. Правда, длина нового кабеля 2 м, на метр короче старого.

AMD продемонстрировала на CES планшет с Windows 8, выполненный на еще не вышедшем процессоре компании под кодовым именем Temash. В AMD рассчитывают, что он поможет прервать череду неудач компании и позволит ей успешно конкурировать с ARM и Intel. У прототипа планшета экран 10,6 дюйма. До сих пор AMD, как правило, пользовалась в планшетах своими чипами для нетбуков, а новинка изначально создана специально для планшетов.

Temash ориентирован на планшеты высокого быстродействия, на которых можно играть в игры в режиме Full HD. У чипа будут особенности, позволяющие продлить время работы от батареи, и он будет предлагаться в двух- и четырехъядерном исполнении. При работе Windows 8 на Temash процессор будет потреблять меньше 5 Вт, обещают в AMD.

В компании заявляют, что чип будет работать вдвое быстрее, чем нынешний процессор AMD для планшетов Z60, вышедший в октябре и сейчас использующийся лишь в нескольких моделях устройств. Первые планшеты с Temash появятся в этом году, надеются в AMD. В отличие от процессоров Intel и ARM, он поддерживает 64-разрядную адресацию, благодаря чему можно будет увеличить емкость памяти в планшетах. Кроме того, на планшетах с Temash смогут работать 64-разрядные приложения, написанные для более старых версий Windows, обещают в компании.

Источник: LaCie

Дизайнер Филипп Старк придумал для компании LaCie внешний накопитель необычной формы. Он называется Blade Runner («Бегущий по лезвию») — по культовому фильму Ридли Скотта. Однако, сам по себе дизайн накопителя навеян не работами Дугласа Трамбулла, художника-оформителя кинокартины, а «загадочной, невероятной мощью информационных технологий», объясняет Старк. По его словам, жесткий диск «призван вызывать у вас вопрос: можно ли стискивать технологии рамками клетки».

Так или иначе, сам по себе Blade Runner это жесткий диск на 4 Тбайт в замысловатом корпусе. Как объясняет Старк, в Blade Runner «горячая электроника накопителя заключена в интригующую оболочку, лезвия вокруг которой играют роль радиатора; подвеска дает пространство для циркуляции воздуха вокруг жесткого диска, а металл корпуса улучшает теплопроводность».

Другими словами, упрочненный корпус защищает накопитель от перегревания. Blade Runner снабжен светодиодной кнопкой питания в форме креста — личного логотипа Старка. К компьютеру устройство подключается по USB 3.0. Стоимость жесткого диска на сайте производителя — 249,99 фунтов. Он выпущен ограниченным тиражом в 9999 экземпляров.

Компания SanDisk отметила Новый год выпуском двух твердотельных накопителей, которые должны способствовать дальнейшему увеличению производительности ПК.

Модели Ultra Plus, ориентированная на конечных потребителей, и X110, предназначенная для производителей ПК и серверов, представлены на экспозиции Storage Visions в рамках выставки CES в Лас-Вегасе. Устройства построены на базе микросхем флэш-памяти, изготовленных по самой современной технологии с нормой проектирования 19 нм. Модель Ultra Plus, имеющая емкость 64, 128 или 256 Гбайт, предлагается конечным потребителям, решившим модернизировать свои компьютеры. Замена старого твердотельного накопителя или жесткого диска будет способствовать увеличению производительности и надежности системы. Скорость выполнения устройством операций последовательного чтения составляет 530 Мбайт/с, а последовательной записи – от 155 до 445 Мбайт/с в зависимости от модели. Диск X110 также предлагается в нескольких вариантах, имеющих различную емкость. Скорость выполнения операций чтения здесь составляет 505 Мбайт/с, а записи – 445 Мбайт/с. Для сравнения, модель твердотельного диска U100, выполненная по технологии 24 нм, обеспечивает чтение на скорости 450 Мбайт/с и запись со скоростью 350 Мбайт/с.