В Samsung ускорили память DDR4 в 1,3 раза, начав выпускать ее по технологии на 10 нм
В Samsung ускорили память DDR4 в 1,3 раза, начав выпускать ее по технологии на 10 нм




09:37 11.04.2016 |    1114 прочтений



Samsung будет выпускать новую память в модулях емкостью от 4 Гбайт для ноутбуков до 128 Гбайт для серверов. Позднее в этом году также начнется выпуск микросхем памяти DDR4 для смартфонов.

В Samsung приступили к серийному выпуску микросхем оперативной памяти DDR4 по технологии 10 нм, предназначенных для ноутбуков и гибридных компьютеров. Первые 8-гигабитные чипы также планируется поставлять для использования в серверах.

Как сообщают в Samsung, новая память — быстрее и энергоэффективнее, чем микросхемы DDR4, выпускавшиеся по более старому техпроцессу 20 нм. Если у последних частота регенерации составляла до 2400 МГц, то у новых — до 3200 МГц.

Samsung будет выпускать 10-нанометровую память DDR4 в модулях емкостью от 4 Гбайт для ноутбуков до 128 Гбайт для серверов. Позднее в этом году по новой технологии также начнется выпуск микросхем памяти DDR4 для смартфонов.


Теги: Samsung DDR4


На ту же тему: