В Samsung первыми освоили однокристальных систем по техпроцессу 10 нм
В Samsung первыми освоили однокристальных систем по техпроцессу 10 нм




10:01 24.10.2016 |   1732



По сравнению с 14-нанометровыми микросхемами чипсетами удельная эффективность поверхности выросла на 30%, производительность – на 40%, а энергопотребление снизилось на 40%.

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой на рынке «системы на кристалле» (System-on-Chip, SoC) по техпроцессу 10 нм FinFET.

Новый чип имеет транзисторную 3D-структуру. По сравнению с 14-нанометровыми микросхемами удельная эффективность поверхности выросла на 30%, производительность – на 40%, а энергопотребление снизилось на 40%.

Микросхемы, изготовленные по 10-нанометровому техпроцессу FinFET первого поколения (10LPE), появятся в продаже в начале 2017 года. Однако на подходе уже и второе поколение (10LPP), которое обеспечит очередной скачок в производительности. Устройства на их базе будут доступны во второй половине 2017 года.


Теги: Samsung