В МТИ объяснили формирование нанопроводов толщиной в несколько атомов
В МТИ объяснили формирование нанопроводов толщиной в несколько атомов



Источник: MIT


14:07 13.12.2017

|   544 прочтения



Исследователи создали численную модель открытого ранее процесса получения длинных прямых проводов из дисульфида молибдена.

 

Так называемые «двухмерные материалы», самым известным из которых является графен, считаются перспективными для применения в микроэлектронике. Но для изготовления электронных компонентов необходимо соединять разные двухмерные материалы в одной плоскости, и эта задача оказалась довольно сложной. В 2015 году в Саудовской Аравии в университете им. короля Абдаллы разработали метод нанесения дисульфида молибдена и диселенида вольфрама с созданием четкой границы контакта между ними. Усовершенствовав их метод, исследователи из университета им. Корнелла сумели получить длинные прямые провода из дисульфида молибдена диаметром всего в несколько атомов, входящие в участки диселенида вольфрама с сохранением границы контакта.

В новой работе исследователи из Массачусетского технологического института с коллегами попытались создать численную модель открытого ранее процесса. Теоретическое объяснение формирования нанопроводов позволяет надеяться на разработку методов изготовления таких проводов произвольной формы и создание с их помощью электронных компонентов атомного масштаба.


Теги: МТИ Графен Нанотехнологии Микроэлектроника
На ту же тему: