Российские физики получили материал для энергонезависимой памяти

10:10 08.04.2016

|   1242 прочтения



Полученные сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки могут послужить основой для элементов энергонезависимой памяти.

Ученые из МФТИ впервые получили материал, который может стать основой для элементов энергонезависимой памяти, сообщает, ТАСС со ссылкой на пресс-службу института. Они впервые вырастили сверхтонкие – 2,5 нм, сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния.

По словам заведующего лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрея Зенкевича, можно рассчитывать, что в ближайшем будущем могут быть созданы новые устройства энергонезависимой памяти с использованием сегнетоэлектрических поликристаллических слоев оксида гафния.

Объем хранимой и обрабатываемой информации в мире удваивается каждые полтора года, и для работы с ней нужно все больше компьютерной памяти, прежде всего такой, которая хранит информацию даже после отключения электропитания, то есть, энергонезависимой. Идеалом должна стать «универсальная» память, которая обладает быстротой оперативной памяти, вместимостью жесткого диска и знергонезависимостью флешки.

Подходом для создания такой технологии должна стать энергонезависимая память на сегнетоэлектрических туннельных переходах. Сегнетоэлектрик – вещество, способное «запоминать» направление приложенного внешнего электрического поля. Запись информации в памяти на основе сегнетоэлектрических пленок производится подачей напряжения на электроды, а считывание – измерением туннельного тока.

Такая память может обладать исключительно высокой плотностью, скоростью записи и считывания, а также низким энергопотреблением. По мнению ученых, она может стать энергонезависимой альтернативой для современной динамический оперативной памяти.


Теги: МФТИ Нанотехнологии


На ту же тему: