Предложенная IBM и Samsung память MRAM похоронит флеш-память для гаджетов
Предложенная IBM и Samsung память MRAM похоронит флеш-память для гаджетов




15:46 15.07.2016

|   2899 прочтений



Магниторезистивная память STT MRAM в 100 тыс. раз превосходит NAND по скорости записи и в 10 раз по скорости чтения.

Компании IBM и Samsung объявили о создании технологического процесса производства энергонезависимой памяти, которая работает в 100 тыс. раз быстрее флеш-памяти NAND и имеет практически неограниченный ресурс циклов чтения и записи. IBM и Samsung совместными усилиями разрабатывают магниторезистивную (MRAM) память следующего поколения с использованием технологии STT (spin-transfer torque), что позволит создавать более эффективные микросхемы памяти небольшой емкости для датчиков Интернета вещей, носимых устройств и мобильной техники, где в настоящее время для хранения данных используется флеш-память NAND. Двум компаниям впервые удалось уменьшить норму проектирования до 11 нанометров при длительности импульса в 10 наносекунд и силе тока, не превышающей 7,5 микроампер, что, по свидетельству разработчиков, является «значительным достижением». Если флеш-памяти NAND для записи данных требуется одна миллисекунда, то у MRAM эта процедура занимает всего 10 наносекунд. Таким образом, память MRAM в 100 тыс. раз превосходит NAND по скорости записи и в 10 раз по скорости чтения. В обозримом будущем память STT MRAM вряд ли придет на смену микросхемам DRAM, но встроенную флеш-память она вполне способна потеснить, поскольку MRAM быстрее, легче интегрируется и обладает практически неограниченным ресурсом циклов чтения и записи.


Теги: Самое интересное Samsung IBM MRAM NAND


На ту же тему: