МТИ: комбинируя материалы на кристалле процессора, можно кардинально ускорить компьютеры
МТИ: комбинируя материалы на кристалле процессора, можно кардинально ускорить компьютеры



Источник: MIT


11:02 01.02.2016

|   752 прочтения



Слои в экспериментальном чипе имеют толщину всего в один-три атома. Открывается возможность изготовления транзисторов, основанных на квантовом эффекте туннелирования электронов, который проявляется как раз при столь малой толщине слоя.

Современные процессоры состоят из нескольких слоев, каждый из которых может содержать только один материал. Ученые Массачусетского технологического института объявили о разработке производственной технологии, которая позволит комбинировать на одном из том же слое совершенно разные материалы.

Слои в экспериментальном чипе, созданном исследователями, имеют толщину всего в один-три атома, благодаря чему работа ученых может помочь проектам по созданию тончайшей гибкой прозрачной электроники, которую можно наносить на другие материалы. Кроме того, открывается возможность изготовления транзисторов, основанных на квантовом эффекте туннелирования электронов, который проявляется как раз при столь малой толщине слоя. От традиционных такие транзисторы отличаются гораздо более низким расходом энергии и большей скоростью переключения.

До сих пор на одном кристалле можно было комбинировать материалы только с очень похожей кристаллической решеткой. В МТИ же предложили способ размещать бок о бок любые элементы из шестой и 16-й групп периодической таблицы. В частности, экспериментальный чип одновременно содержит дисульфид молибдена и графен. Исследователи сперва помещают слой графена на кремниевую подложку, затем вытравливают области, в которых планируется разместить второй материал. После этого на край подложки кладут брусок некоего материала, плавят его и обдувают подложку газом. Тот увлекает молекулы нового материала за собой, и они катализируют реакцию с другим газом, которая приводит к формированию слоя дисульфида молибдена.


Теги: МТИ