IDF: Первые накопители на высокоскоростной памяти 3D XPoint появятся в следующем году

22:00 18.08.2015

|   1030 прочтений



Новая память, как утверждают в Intel и Micron, на порядок плотнее, чем DRAM, и является энергонезависимой, но работать может в тысячу раз быстрее, чем флеш-память.

 

В Intel объявили, что первые твердотельные накопители на основе технологии 3D Xpoint (читается — «кросспойнт») поступят в продажу в следующем году, а сама технология сменит имя на Optane. Она разработана Intel совместно с компанией Micron Technology, и как утверждается, это первая принципиально новая технология памяти с тех пор как 25 лет тому назад появилась флеш-память NAND.

В 2016 году Intel предложит SSD для самых разных систем, от серверов до экономичных ноутбуков, сообщили в корпорации. Обещан также выпуск серверных модулей оперативной памяти DIMM на основе Optane, но осталось неясным, появятся ли они тоже в 2016 году.

Новая память, как утверждают в Intel и Micron, на порядок плотнее, чем DRAM, и является энергонезависимой, но работать может в тысячу раз быстрее, чем флеш-память. Правда, когда глава Intel Брайан Кржанич демонстрировал Optane на IDF, ускорение по сравнению с модулями NAND было только семикратным.

Конструкцию Optane разработчики описывают как пространственную решетку проводников, пересечения которых представляют собой микропереключатели; единицы и нули соответствуют разным состояниям материала на пересечениях.


Теги: Intel Флеш-память Micron IDF 2015
На ту же тему: