CEATEC: TDK показала прототип магниторезистивной памяти с переносом спинового момента
CEATEC: TDK показала прототип магниторезистивной памяти с переносом спинового момента




21:34 08.10.2014

|   658 прочтений



Память STT-MRAM способна записывать и считывать данные с той же скоростью, что и современные микросхемы SRAM и DRAM, но, в отличие от них, является энергонезависимой и может сохранять записанные данные в течение многих лет, как флеш-память.

 

TDK STT-MRAM - CEATECНа выставке Ceatec японская компания TDK впервые продемонстрировала прототип новой микросхемы магниторезистивной памяти произвольного доступа с переносом спинового момента (STT-MRAM). Память STT-MRAM способна записывать и считывать данные с той же скоростью, что и современные микросхемы SRAM и DRAM, но, в отличие от них, является энергонезависимой и может сохранять записанные данные в течение многих лет, как флеш-память.

Магниторезистивная технология хранения данных (MRAM) известна давно, но в TDK работают над новым вариантом этой технологии, основанным на эффекте переноса спинового момента (STT). При записи данных изменение ориентации магнитного поля в материале происходит под влиянием электрического тока, поляризованного по спину.

Прототипная схема STT-MRAM, показанная TDK, записывает и считывает данные примерно в семь раз быстрее, чем флеш-память типа NOR. Принадлежащая TDK американская компания Headway Technologies изготовила опытный образец 8-дюймовой пластины микросхем MRAM. Однако она не располагает мощностями для массового выпуска таких микросхем.

В TDK считают, что полномасштабное коммерческое применение STT-MRAM возможно лет через десять. Небольшими партиями STT-MRAM выпускает сейчас американская компания Everspin Technologies.


Теги: MRAM CEATEC 2014 TDK