В AMD подтвердили слухи, сообщив, что в готовящихся к выпуску видеоплатах Radeon впервые появится память нового поколения High-Bandwith Memory. Директор AMD по технологиям Марк Пейпермастер отметил, что над HBM компания работает уже семь лет.
HBM отличается многослойной компоновкой кристаллов, соединенных сквозными вертикальными проводниками (through-silicon vias) — за счет этого достигается повышение плотности и быстродействия. По словам Пейпермастера, по сравнению с GDDR5 у HBM втрое выше быстродействие на ватт, а расход энергии — на 50% меньше. При использовании HBM совместно с новой технологией компрессии цветовых данных, дебютировавшей в адаптере Radeon R9 285, повышение скорости обмена данными с памятью может быть впечатляющим.
Генеральный директор AMD Лайза Су добавила, что в связи с размещением памяти в графическом процессоре, а не на видеоплате, появляется возможность предложить «много интересных формфакторов»; подробности обещаны в ближайшем будущем.
В 2016 году в видеочипах AMD начнут применяться транзисторы с вертикальным затвором FinFET, обещающие удвоить энергоэффективность. В AMD отметили, что в связи с грядущим выходом DirectX 12 и ростом применения 4K-дисплеев и систем виртуальной реальности потребности в мощности обработки графики сильно вырастут.