«Крокус Наноэлектроника» запускает первую очередь завода по производству MRAM

11:07 01.11.2013

|   919 прочтений



Совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology приступила к производству магниторезистивной памяти.

Совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology, компания «Крокус Наноэлектроника» приступила к производству магниторезистивной памяти (MRAM). Производство размещено на территории технополиса «Москва» на территории бывшего АЗЛК. «Крокус Наноэлектроника» стала первым резидентом будущего микроэлектронного кластера.

Магниторезистивная память, совмещающая в себе энергонезависимость, высокую скорость записи/чтения и практически неограниченное количество циклов перезаписи, является памятью нового поколения, говорится в сообщении компании. Продукция проекта, основанная на MRAM и технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — «магнитная логическая ячейка»), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия и защищенной памяти. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит 8 млрд долл.

Первая очередь производства «Крокус Наноэлектроника станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нм. К концу 2014 года его производительность составит 500 пластин в неделю. Общий объем инвестиций в проект превышает 200 млн евро, включая софинансирование «Роснано» в размере 100 млн евро.


Теги: