23:40 03.10.2013 |   1381



Заряд в такой памяти хранится на наночастицах металлоксидного полупроводника, но формируется чип нетрадиционным образом — его слои связывают друг с другом с помощью пептида ферритина.

Ученые тайваньского Национального Университета Цзяо Дуна и Японского технологического института объявили о разработке нового метода изготовления многоуровневой флэш-памяти, предусматривающего использование белкового материала. Заряд в такой памяти хранится на наночастицах металлоксидного полупроводника, но формируется чип нетрадиционным образом — его слои связывают друг с другом с помощью пептида ферритина.

Как утверждается, такая память выдерживает больше 10 тыс. циклов записи-стирания, что сопоставимо с лучшими образцами флэш-памяти потребительского класса.

Для формирования многоуровневых ячеек нужной структуры разработчики, по их словам, воспользовались способностью молекул белков к самоорганизации: тончайший слой кремния покрывают ферритином, затем окисью железа и оксидом кремния, а для последующего удаления белкового каркаса его обрабатывают ультрафиолетом и озоном. По оценкам исследователей, этот процесс менее затратен, чем традиционный способ изготовления полупроводников, а кроме того, обеспечивает более высокую точность, чем фотолитография.


Теги: