В Калифорнийском университете Лос-Анджелеса изобрели радикально усовершенствованный вариант магниторезистивной оперативной памяти. Свой вариант инженеры называют магнитоэлектрической памятью (MeRAM). Ее преимущества — крайне низкое потребление энергии, большая плотность, высокая скорость записи/считывания и энергонезависимость.
.jpg) |
|
Источник: UCLA |
Магнитная память, основанная на методе переноса спинового момента (spin transfer torque, STT), требует для записи данных достаточно сильного электрического тока и выделяет немало тепла. STT-RAM также имеет определенное ограничение по плотности ячеек. В MeRAM вместо тока при записи используется разность потенциалов, в результате вырабатывается существенно меньше тепла, и энергоэффективность повышается в 10-1000 раз, утверждают разработчики. Плотность же MeRAM, по их словам, может быть впятеро с лишним больше, чем у MRAM.
Ячейка MeRAM состоит из двух магнитных и ряда изолирующих слоев. Ориентация одного из магнитных слоев фиксирована, другая меняется электрическим полем. При его включении между магнитными слоями создается разность потенциалов, заставляющая электроны аккумулироваться на поверхности слоя либо уходить.
Так как STT-RAM уже производится коммерчески, перейти к выпуску MeRAM будет несложно, считают инженеры.