Изобретатели способа получения графена создали на его основе транзистор нового типа

13:51 17.02.2012 |   1167



С тех пор, как в 2004 году была изобретена технология получения графена, — материала, представляющего собой одиночный слой атомов углерода, — ученые бьются над проблемой слишком сильной утечки тока из него.

vertical_transistor
Источник: University of Manchester

С тех пор, как в 2004 году была изобретена технология получения графена, — материала, представляющего собой одиночный слой атомов углерода, — ученые бьются над проблемой слишком сильной утечки тока из него. Она мешала реализовать одно из перспективных применений графена — в качестве замены кремния в микросхемах. Группе ученых Манчестеркого университета во главе с первооткрывателями способа изготовления графена нобелевскими лауреатами Андреем Геймом и Константином Новоселовым удалось решить эту проблему: в журнале Science они пишут, что «перевернули» графен, изготовив из него вертикальные проводники, по которым электроны туннелируют из одного металла в другой через слой диэлектрика: был изготовлен туннельный диод.

Воспользовавшись уникальной особенностью графена — возможностью резкого изменения энергии туннелирующих электронов под влиянием внешнего напряжения, ученые получили электронный элемент нового типа — вертикальный полевой туннельный транзистор. По убеждению Леонида Пономаренко, руководителя экспериментальной части исследований, такие транзисторы можно будет уменьшить до нанометровых размеров и заставить работать на частотах, близких к терагерцу.

 


Теги: