Компания Samsung объявила о вводе в эксплуатацию крупнейшей линии по производству чипов памяти, использующихся в смартфонах и планшетных компьютерах. Общая площадь новой фабрики, разместившейся в 12-этажном здании, составила 198 тыс. кв. м., а ее строительство обошлось компании в 10,2 млрд. долл.
На Line 16 уже запущено производство памяти типа DDR3 DRAM, изготовленной по 20-нанометровой технологии. Сейчас здесь выпускаются модули емкостью 2 Гбайт, до конца года будет налажен выпуск модулей емкостью 4 Гбайт, а в следующем году планируется производить модули емкостью 8,16 и 32 Гбайт.
С помощью нового производства Samsung планирует также увеличить производство NAND-чипов памяти, а в следующем году компания начнет производить более современные чипы, изготовленные с использованием 10-нанометровой производственной технологии.