В МТИ разработали технологию производства чипов с топологическим размером элемента 9 нм

19:13 08.07.2011 |   1695



Уже 50 лет транзисторы в компьютерных чипах становятся все меньше, и все это время для изготовления микросхем используется одна и та же методика — фотолитография. Однако длина волны видимого света не позволяет уменьшать элементы дальше определенного порога, поэтому нужны новые методы. Один из них — электронно-лучевая литография. До сих пор она не подходила для массового производства микросхем ввиду медлительности, обусловленной тем, что схема при экспозиции освещается не целиком, а участок за участком при помощи сканирующего пучка электронов. Если же увеличить скорость сканирования, ухудшается разрешающая способность технологии — до сих пор минимум размера элемента, формируемого с ее помощью, составлял 25-32 нм.

Специалистам МТИ удалось довести этот показатель до 9 нм. Для этого был подобран фоторезист, реагирующий на малые дозы электронов, а кроме того, он был нанесен более тонким, чем обычно, слоем, для минимизации разброса электронов. Еще один «трюк» инженеров МТИ — схему после облучения «проявили» в обычном растворе поваренной соли, в результате чего области, получившие разное количество электронов, приобрели одинаковые характеристики.


Теги: