IBM разогнала память на фазовых переходах

21:24 30.06.2011 |   1806



Ученым Цюрихского отделения IBM Research удалось найти способ решения самой серьезной проблемы памяти PCM: изменения сопротивления с течением времени, что снижает надежность хранения данных.

Память с изменением фазового состояния (PCM) компактнее обычной флэш-памяти, обладает большей плотностью записи и скоростью доступа, однако у нее есть и свои недостатки. Ученым Цюрихского отделения IBM Research удалось найти способ решения самой серьезной проблемы памяти PCM: изменения сопротивления с течением времени, что снижает надежность хранения данных и ограничивает возможности создания многоуровневых ячеек.

Работа ячеек PCM основана на свойстве некоторых материалов «переключаться» между кристаллическим и аморфным фазовым состоянием под воздействием электрического тока. В аморфном состоянии материал обладает высоким сопротивлением, а в кристаллическом – низким. Изменение сопротивления ячейки зависит от напряжения тока, и поэтому одна ячейка может находиться не только в двух, но и в большем числе состояний, сохраняя более одного бита информации. Однако в аморфном состоянии сопротивление со временем растет. Ученые IBM заметили, что в среднем сопротивление ячеек растет с одинаковой скоростью и создали метод кодирования, исправляющий ошибки. При этом скорость записи даже в худшем случае более чем в 100 раз превышает скорость лучшей современной флэш-памяти.


Теги: