На следующей неделе на конференции Design Automation Conference 2011 студенты и преподаватели инженерных факультетов Калифорнийского университета Сан-Диего планируют продемонстрировать свою разработку - накопитель Moneta, выполненный на основе памяти, действующей по принципу смены фазовых состояний вещества.
Как утверждают конструкторы, их накопитель работает в несколько тысяч раз быстрее, чем жесткие диски, и в семь раз быстрее, чем флэш-память. В Moneta используется первое поколение халькогенидной памяти на фазовых состояниях компании Micron Technology. Как и SSD, накопители на памяти данного типа не имеют движущихся частей.
По утверждению разработчиков, Moneta экономно расходует электроэнергию и способен считывать большие объемы информации на скорости до 1,1 Гбайт/с. Второе поколение накопителя авторы рассчитывают создать в ближайшие шесть-девять месяцев, а коммерческие изделия на его основе могут появиться в течении нескольких лет.
Исследования в области памяти на фазовых состояниях ведут также компании IBM, Intel и Infineon. Недавно Samsung сообщила, что комплектует памятью на фазовых состояниях один из своих смартфонов.