Рекорды плотности NAND

Новые микросхемы, предлагаемые Intel и Micron, будут на 20% меньше, чем флэш-память, выпускаемая сегодня

10:15 31.08.2010   |  Лукас Мериан |  Computerworld, США

Рубрика Индустрия |   401 прочтение



 

Компании Intel и Micron Technology анонсировали поставки микросхем флэш-памяти NAND, изготавливаемой по литографической технологии с нормой проектирования 25 нм и позволяющей хранить 3 бит в ячейке. Новые микросхемы флэш-памяти являются на сегодняшний день самыми компактными и емкими в отрасли.

Первые образцы уже разосланы избранным клиентам. Ожидается, что полномасштабное производство будет развернуто к концу текущего года.

Чипы, позволяющие хранить 3 бит в ячейке, предназначены для использования во флэш-картах, USB-накопителях и MP3-плеерах. В твердотельных накопителях (Solid State Drive, SSD) по-прежнему будет применяться флэш-память NAND, рассчитанная на хранение одного или двух бит в ячейке.

В августе прошлого года Intel и Micron сформировали совместное предприятие IM Flash Technologies, впервые анонсировав флэш-память NAND, позволяющую хранить 3 бит в ячейке. Тогда при ее изготовлении использовался литографический процесс с нормой проектирования 34 нм. Применение передовых решений привело к уменьшению площади поверхности микросхем на 11%, но из-за возникших проблем с надежностью производство флэш-памяти с хранением 3 бит в ячейке решено было прекратить.

В январе в IMFT представили первую микросхему NAND, изготовленную по технологии 25 нм. В каждой ее ячейке хранилось 2 бит данных. Такие микросхемы относят к категории флэш-памяти с многоуровневыми ячейками (Multi-Level Cell, MLC), в отличие от микросхем с одноуровневыми ячейками (Single-Level Cell, SLC), позволяющими хранить в каждой ячейке только 1 бит.

По словам представителей IMFT, новые чипы флэш-памяти емкостью 64 Гбит, обеспечивающие хранение 3 бит в ячейке, обладают более высокой плотностью размещения элементов, а развертывание их производства приведет к дальнейшему снижению цен на флэш-память NAND.

Модули памяти емкостью 8 Гбайт, имеющие размеры 8,9x18,8 мм и изготавливаемые по технологии 25 нм, собираются из чипов NAND объемом 64 Гбит. Новый производственный процесс помогает вдвое сократить число микросхем по сравнению с применявшейся ранее литографической технологией с нормой проектирования 34 нм. Таким образом, плотность размещения элементов возрастает, а размеры устройств уменьшаются. Теперь твердотельный накопитель емкостью 256 Гбайт можно изготовить из 32 модулей NAND объемом 8 Гбайт, а не из 64, как раньше. Для смартфона с памятью 32 Гбайт понадобится всего четыре таких кристалла, а для флэш-карты емкостью 16 Гбайт — всего два. Произошедшие изменения отразятся и на стоимости производства мобильных продуктов.

Площадь новых продуктов на 20% меньше, чем у памяти MLC, выпускаемой IMFT по технологии 25 нм.

"Вслед за появлением в январе микросхем памяти с нормой проектирования 25 нм очень быстро последовал переход на производство памяти, позволяющей хранить 3 бит в ячейке, — отметил генеральный менеджер подразделения Intel NAND Solutions Group Том Рэмпон. — Мы продолжаем совершенствовать свои технологии и предлагать самые передовые продукты. Intel планирует и дальше использовать лидерство IMFT в области проектирования и производства для поставки конкурентоспособных по цене продуктов с увеличенной плотностью размещения элементов, которые будут построены на основе новых модулей NAND емкостью 8 Гбайт с нормой проектирования 25 нм".


Теги: