MRAM

Предложенная IBM и Samsung память MRAM похоронит флеш-память для гаджетов

15:46 15.07.2016

Магниторезистивная память STT MRAM в 100 тыс. раз превосходит NAND по скорости записи и в 10 раз по скорости чтения.



CEATEC: TDK показала прототип магниторезистивной памяти с переносом спинового момента

21:34 08.10.2014

Память STT-MRAM способна записывать и считывать данные с той же скоростью, что и современные микросхемы SRAM и DRAM, но, в отличие от них, является энергонезависимой и может сохранять записанные данные в течение многих лет, как флеш-память.