Компания SK Hynix, второй по величине производитель микросхем памяти в мире, сообщила о намерении инвестировать до 2024 года 38,9 млрд долл. в строительство трех новых фабрики по выпуску электронных компонентов.

По масштабу запланированных вложений южнокорейский производитель опередил всех прочих лидеров электронной промышленности, включая Intel и Tsinghua Unigroup.

Корпорация Intel недавно объявила о намерении потратить 16,7 млрд долл. на покупку производителя программируемых вентильных матриц Altera. А Samsung Electronics в прошлом году анонсировала инвестиции в размере 14,4 млрд долл. в строительство нового завода вблизи южнокорейского города Пёнтек.

В Hynix готовятся к изменению характера спроса на флеш-память NAND и DRAM и рассчитывают, что будущие инвестиции позволят ей стать крупнейшим в мире производителем электронных компонентов. В настоящее время мировое лидерство в выпуске логических микросхем и чипов памяти DRAM и NAND удерживает тайваньский производитель TSMC.

Доля Hynix в глобальном рынке микросхем DRAM в конце марта составляла 27,6%. По этому показателю она уступала только Samsung, на долю которой приходилось 44,1% общего объема поставок.

Председатель совета директоров SK Group Чей Тай Вон анонсировал инвестиции на церемонии, которая прошла в городе Инчхоне, находящемся в 80 км к юго-востоку от Сеула. На мероприятии присутствовала президент Южной Кореи Пак Кын Хе.

«Сумма инвестиций весьма велика, но ее предполагается потратить в течение десяти лет, – заявил вице-президент Gartner Джозеф Ансворт, курирующий исследования рынков электронных компонентов, флеш-памяти и твердотельных накопителей. – В Hynix считают, что этот шаг необходим компании для сохранения конкурентоспособности, но при этом следует придерживаться темпов, задаваемых отраслью, что всегда вызывает определенные трудности».

Ансворт указал, что другие ведущие производители электронных компонентов – Micron, Toshiba, SanDisk и Samsung – также планируют начать строительство новых предприятий по выпуску микросхем DRAM и NAND. Большинство этих фабрик будут поддерживать технологию 3D NAND, предусматривающую размещение слоев флэш-памяти друг над другом, что позволит добиться более высокой плотности элементов.

Новая технология флеш-памяти 3D NAND, разработанная Intel и Micron, обещает увеличение емкости модулей памяти до 3,5 Тбайт.

«Нас, скорее всего, ждет значительное увеличение объемов памяти за относительно короткий период, – подчеркнул Ансворт. – Впрочем, инвестиции в производственные предприятия остаются пока на бумаге, а планы имеют свойство меняться в зависимости от рентабельности и спроса».

В июльском финансовом отчете Hynix утверждалось, что компания увеличит производство микросхем флеш-памяти NAND с трехуровневыми ячейками, а в третьем квартале наладит выпуск ограниченных партий памяти 3D-NAND, состоящей из 36 слоев.

В этом году Hynix планирует завершить разработку 3D-памяти NAND с трехуровневыми ячейками, объединяющей 48 слоев. Появление этой памяти в твердотельных накопителях должно будет удовлетворить растущий спрос на продукты 3D NAND.

Аналитик компании Forward Insights Грегори Вон заметил, что анонсированные Hynix планы могли стать ответом на давление со стороны южнокорейского правительства, требующего от Samsung и SK Hynix расширения инвестиций в национальную экономику.

«Заявления такого рода обычно делаются, чтобы снискать благосклонность властей, – пояснил Вон. – Возможно также, что это завуалированное предупреждение Китаю о том, что Hynix может отказаться от вложений в этой стране, если Китай будет делать значительные преференции собственным производителям микроэлектроники.

Инвестиции Hynix будут разделены на две части: 26,9 млрд долл. компания направит на строительство к 2024 году двух новых фабрик по выпуску электронных компонентов; еще более 12 млрд долл. – на расширение уже существующей фабрики M14. Эти капиталовложения позволят довести производство 300-миллиметровых подложек до 200 тыс. в месяц.