В компании Western Digital разработали вариант технологии изготовления памяти X4, хранящей в одной ячейке четыре бита данных, для трехмерной архитектуры 3D NAND. До сих пор технология позволяла изготавливать X4 только с одним слоем ячеек — так называемой архитектурой 2D NAND. Новая память строится по технологии BiCS3 с 64 слоями ячеек NAND. Для хранения в одной ячейке четырех битов данных необходимо, к тому же, чтобы система распознавала шестнадцать значений уровня заряда. Новая технология BiCS3 X4 позволяет довести емкость одной микросхемы памяти до 768 гигабит — в полтора раза больше, чем у микросхем, построенных по архитектуре X3. При этом, как подчеркивают в компании, производительность BiCS3 X4 остается сравнимой с производительностью BiCS3 X3, несмотря на повышение сложности архитектуры.
В Western Digital рассчитывают довести технологию 3D NAND X4 до промышленного применения. Технологию X4 планируется использовать и в последующих вариантах архитектур 3D NAND, в том числе в архитектуре BiCS4 с 96 слоями ячеек.
В августе на конференции Flash Memory Summit в Калифорнии Western Digital намеревается продемонстрировать твердотельные накопители на базе технологии BiCS3 X4.
