IBM и партнеры разработали процесс изготовления чипов с топологическим размером 5 нм
IBM и партнеры разработали процесс изготовления чипов с топологическим размером 5 нм



Источник: IBM


10:07 26.06.2017

|   847 прочтений



По сравнению с чипами, выпускаемыми по самому передовому на сегодня техпроцессу на 10 нм, они обеспечат увеличение быстродействия на 40% при том же расходе энергии либо снижение энергозатрат на 75% при той же производительности.

 

Специалисты IBM и ее партнеров по исследовательской деятельности, компаний GlobalFoundries и Samsung, объявили о разработке процесса изготовления транзисторов из кремниевых нанолистов, позволяющего выпускать микросхемы с топологическим размером элемента 5 нм. Как подчеркивают в IBM, благодаря этому полупроводниковая отрасль снова делает шаг вперед через два года после создания первого опытного образца 7-нанометрового процессора.

Как сообщают представители корпорации, разработанный транзистор имеет новую структуру, отличающуюся от транзисторов типа FinFET, которые используются в нынешних чипах. В IBM объясняют, что топологический размер процессоров с такими транзисторами можно уменьшить до 5 нм, но из-за особенностей их строения необходимое увеличение быстродействия достигнуто не будет.

Между тем, по сравнению с чипами, выпускаемыми по самому передовому на сегодня техпроцессу 10 нм, 5-нанометровые процессоры на основе кремниевых нанолистов могут обеспечить увеличение быстродействия на 40% при том же расходе энергии либо снижение энергозатрат на 75% при той же производительности. При этом для изготовления процессоров нового типа можно пользоваться существующим оборудованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете, добавляют в IBM.


Теги: Samsung IBM GlobalFoundries Микроэлектроника
На ту же тему: